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二维半导体有望延续摩尔定律

2021-9-18 09:57| 发布者: admin| 查看: 5956| 评论: 0|原作者: 沈丛|来自: 中国电子报

摘要: 近期,南京大学电子科学与工程学院王欣然教授课题组,同天马微电子股份有限公司等单位合作,研究突破了二维半导体单晶制备和异质集成关键技术,为未来Micro-LED显示技术发展提供了全新技术路线。同时,二维半导体从水 ...
  可能会给显示领域带来颠覆性突破

  天马微电子股份有限公司创新中心副总经理秦锋认为,此次南京大学在二维半导体关键技术上的突破,给了显示行业一把打开新型领域大门的钥匙。他认为,在此次研究中,二维半导体薄膜晶体管突破了传统半导体驱动电路的性能瓶颈,使得Micro-LED显示器能够同时兼具高分辨率、高亮度、高响应速度的特点,可满足超高分辨率下微显示的需求。

  “我们注意到二维半导体具有极高的柔性与透明度,这可能将给未来显示带来颠覆性的产品,例如,现在的曲面屏仅仅能实现局部的弯曲,如果使用二维半导体驱动,也许未来我们能像折纸一样将屏幕折叠起来。此外,此项研究还突破了新的二维半导体3D集成技术,这项技术相较于Micro-LED如今的主流技术而言,有可能带来成本的大幅度下降,对于Micro-LED向消费级市场推广意义深远。”秦锋对《中国电子报》记者说。

  复旦大学微电子学院副院长周鹏向《中国电子报》记者介绍,此次南京大学团队在技术上的突破,主要在于通过改变蓝宝石表面原子台阶的方向,人工构筑了 “原子梯田”成核位点,首次实现了2英寸二维单晶薄膜的外延生长,基于该外延材料制备的晶体管具备国际上报道的最高综合性能之一。该技术具有良好的普适性,为二维半导体在集成电路领域的应用奠定了基础。

  据了解,大面积单晶材料的突破,为二维半导体走向应用提供了机会,南京大学团队基于第三代半导体研究的多年积累,结合最新的二维半导体单晶方案,提出了基于MoS2薄膜晶体管驱动电路、单片集成的超高分辨Micro-LED显示技术方案。

  “从硅基芯片的发展我们便已知道,单晶生长是半导体集成电路最基本的要求,而二维半导体单晶的生长是困扰产学研界很久的难题。因此,我们从底层、微观的单晶成核生长机制入手进行研究,对单晶生长理论进行了突破,在实验室层面上进行了验证的同时,也为单晶材料制备指明了发展方向,为未来走向应用铺平了道路。而二维半导体技术在显示领域的应用,则展示了二维半导体在后端集成、3D集成两个备受关注的方向的巨大潜力。”王欣然向《中国电子报》记者说道。

  不在于取代硅而是成为硅技术的补充

  尽管二维半导体技术正在迅猛发展,但是,在技术方面依旧存在着诸多瓶颈有待突破,二维半导体的产业化应用仍待时日。

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