存储芯片市场正在迎来新转机

2023-12-4 09:26| 发布者: admin| 查看: 1725| 评论: 0|原作者: 郑晨烨|来自: 经济观察报

摘要: “水逆”许久的存储芯片市场正在迎来拐点。11月以来，多只存储芯片概念股持续走强。在披露了子公司生产的存储芯片已小批量交付后，协创数据（300857.SZ）的月内股价从27.6元/股暴涨至 55.42元/股，涨幅高达100.65%； ...

三大应用市场“回温”

在10月31日举办的三星电子财报电话会上，该公司管理层指出，得益于PC/移动设备高密度产品的日益普及、客户库存调整即将完成以及高端面向AI产品的持续强劲，需求环境有所改善。

“在行业普遍减产之后，市场对行业触底的认识不断扩大，我们收到了大量的购买询问。在持续专注于盈利能力的运营下，我们继续扩大了如HBM/DDR5和UFS4.0等先进节点产品的销售。对于那些库存水平相对较高的传统产品，我们通过降低生产来减少库存。”三星电子高管在财报电话会中指出。

孙梦维告诉记者，三大应用市场（服务器、Mobile、PC）下半年环比回温，但存储价格下跌也加速终端设备平均容量的增长，带来存储“甜蜜点效应”。

她指出，在三大应用市场中，现阶段手机需求较为明朗，全球手机销量环比回暖，在华为强势归来以及国内手机容量配置提升的影响下，中国手机市场也得到提振。

“从各大手机品牌厂商的FCST来看，2024年的销量预期较2023年微幅增长，预计2023年全球智能手机出货量为11.5亿部，为近几年的最低点，但2024年将有望恢复增长至12亿部。同时，今年以来，PC市场环比需求逐步改善，渠道库存回归正常水位，在新处理器平台以及Windows更新的带动下，明年将会迎来一定的换机需求，预计2024年PC出货量将由2023年的下跌14%恢复至增长8%”，孙梦维表示。

兆易创新的管理层在三季度的业绩交流会中亦指出，随着减产效应的体现，供需会达到平衡的状态，大存储的价格有望延续反弹的走势，但也不太会出现暴涨暴跌的情况。

“存储分为大存储和利基存储两大块。大存储包括用于手机、PC和服务器的DRAM以及3DNand，主要供应商为以三星为代表的国际头部厂商。大存储经历了约6-7个季度的下跌周期，在今年第三季度已经达到了价格的底部区间，随着主要厂商的持续减产，达到了供需基本平衡的状态。在今年三季度末大存储出现了一些价格反弹，此反弹对利基存储有一定的带动效应，利基存储价格也在筑底并有微弱反弹。”兆易创新管理层分析。

在集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷看来，展望2024年，存储市场将有下列三个关注事项：一，减产后原厂库存水位已开始下降，但仍需观望库存能否持续往买方转移；二，预期原厂产能将缓慢增加，倘若因市况回温而提早恢复稼动率，将使得供需再次失衡；三，各终端需求能否符合预期回温，其中AI相关订单的持续将是重心。

但同时，她亦向记者强调，由于缺乏实质终端强劲的需求出现，现阶段存储芯片的涨势延续性仍不明朗，倘若需求如期在2024下半年回升，尤其服务器SSD采购动能有所提升，再加上供货商不躁进恢复产能利用率，加速供需平衡，闪存价格便有望呈现全年走升的格局。

国产存储的新突破

今年以来，在两大主要的存储芯片品类（DRAM和NANDFlash）上，国内企业均取得了新的突破。

2023年11月28日，长鑫存储官宣正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒、POP封装的12GBLPDDR5芯片及DSC封装的6GBLPDDR5芯片。

据其官网介绍，该公司自研自产的12GBLPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。长鑫存储方面指出，DDR5产品的推出，将进一步完善公司在DRAM（动态随机存取存储）芯片的产品布局。

DRAM芯片市场一直以来主要由三星、SK海力士和美光三家海外存储厂商主导，东海证券在今年9月份发表的一份研报中指出，在2023年第二季度，三星电子占全球DRAM市场营收的38.14%，SK海力士占比达 32.29%，美光的市占率也达到25.03%，市场高度集中。寡头垄断的格局使得国内厂商对DRAM芯片议价能力很低，也使得DRAM芯片成为我国受外部制约最严重的基础产品之一。

因此，此次长鑫存储推出首个国产高端DRAM产品后，就有业内人士告诉记者，DDR5是一种高效能的手机和便携设备用内存，相比之前的版本，它传输数据更快，耗电更少，而长鑫存储实现了国产LPDDR5产品从零到一的突破，对当前亟待复苏的产业链来说是一个利好。

另外，在NANDFlash领域，今年9月，长江存储旗下唯一零售存储品牌致态发布了一款Ti600固态硬盘，该产品采用长江存储原厂QLC闪存颗粒，基于自研架构，顺序读取速度高达7000MB/s，提供500GB/1TB/2TB多种容量选择。

长江存储致态产品线负责人刘舒雯当时表示，QLC闪存芯片的性能和寿命不断优化，以其为存储介质的固态硬盘开始进入零售市场。“NANDFlash技术正在发展成可以堆叠200层或更多层的形式，这意味着存储设备能存更多的数据。同时，DRAM内存技术也在进步，制造出更小尺寸（小于1β纳米）的芯片，让它们变得更高效。目前在这两个领域，国产厂商都在朝着行业技术领导者地位发起冲击。”CFM闪存市场分析师戴晓瑜告诉记者。但有分析人士也向记者强调，在目前先进制程产能设备取得受限的情况下，国产存储芯片未来扩张200层以上制程产能则是需要透过国内半导体设备商的技术突破才能完成。

沪上一家大型券商的半导体研究员亦向记者表示，由于国产存储芯片行业起步晚，缺乏技术积累，因此大部分国内厂商都聚焦于利基型市场，与存储三巨头展开错位竞争，近年来具有代表性的存储芯片设计及制造企业如兆易创新、长江存储、长鑫存储、武汉新芯等，都在 DRAM和 NANDFlash领域逐渐突破技术壁垒，国产品牌将在未来持续搅动全球存储芯片市场的竞争格局。